TI(德州仪器)
SOIC-14
¥3.93
104
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
SILAN(士兰微)
SOP-16-300mil
¥4.02
0
TI(德州仪器)
DIP-16
¥4.0979
95
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,降压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:降压,升压,反激,正激转换器,全桥,半桥,推挽,输出数:2
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥3.54095
0
应用:谐振转换器控制器,电压 - 供电:0V ~ 35V,电流 - 供电:8 mA,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ),安装类型:表面贴装型
ST(意法半导体)
DIP-7
¥4.613
23
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V
TI(德州仪器)
PDIP-8
¥2.8934
147
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
ST(意法半导体)
PDIP-7
¥4.2188
92
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:13 V
MICROCHIP(美国微芯)
TO-92
¥4.32
25
应用:SMPS 启动,电流 - 供电:500µA,电压 - 供电:35V ~ 450V,工作温度:-55°C ~ 150°C,安装类型:通孔
ST(意法半导体)
SSOP-10
¥11.52
10
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:16 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
InSOP-24D-9.4mm
¥4.4604
2
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,次级侧 SR,频率 - 开关:100kHz
onsemi(安森美)
SOT-223-4
¥4.59
7525
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:8.2 V
ST(意法半导体)
SSOP-10
¥4.5136
36
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:8 V
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥4.008
144
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 28V
Digi-Key 停止提供
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥4.6494
1114
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
RENESAS(瑞萨)
SOIC-8
¥6.6471
7440
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
TI(德州仪器)
SOP-16
¥3.36333
32625
模式:间歇(跃迁),电流 - 启动:100 µA,电压 - 供电:14V ~ 21V,工作温度:-40°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型
TI(德州仪器)
SOIC-7
¥5.02
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥3.0498
346
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥5.13
30
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
Infineon(英飞凌)
DSO-12
¥5.1467
10
是否隔离:非隔离,工作电压:10.5V~25V,最大占空比:50%,晶体管耐压:650V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ESOP-12
¥8.9278
50
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:67%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥5.336
8531
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
Infineon(英飞凌)
DIP-7
¥5.4
10
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:16 V
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8B
¥6.5412
9542
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:66.5%
TI(德州仪器)
VSSOP-10-0.5mm
¥6
13865
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:全桥,半桥,推挽,输出数:2
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥5.9124
32
输出隔离:非隔离,内部开关:无,拓扑:无电感器,控制特性:EN,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥5.939
113
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
TI(德州仪器)
DIP-8
¥5.95
6350
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥6.8308
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
TI(德州仪器)
PDIP-8
¥5.9
76
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
Infineon(英飞凌)
DIP-8
¥8.49
60
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:18 V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥4.73
21
是否隔离:非隔离,工作电压:10V~25.5V,开关频率:100kHz,最大占空比:75%
TI(德州仪器)
SOIC-7
¥6.35
92
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:3.9 V
TI(德州仪器)
DIP-8
¥6.829
27
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
DIODES(美台)
SO-8
¥4.17
7494
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:40V(最大)
EG(屹晶微)
LQFP-32(7x7)
¥6.44
1000
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥5.8905
6194
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压/降压,输出配置:正,拓扑:推挽式,输出数:2
onsemi(安森美)
SOT-223-3
¥6.38
160
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:8.2 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SIP-6
¥9.2
56
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:78%
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥6.70768
664
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-SMD(7 个接脚),鸥翼
¥6.762
324
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-12
¥7.42
54
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:78%
TI(德州仪器)
SOIC-7
¥6.74
92
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥14.15
39
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压/降压,输出配置:正,拓扑:反激,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ESOP-12
¥7.24
815
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:78%
ST(意法半导体)
SOP-10
¥7.45
5
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:8 V
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-8P
¥7.17
4853
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,反激,正激,占空比:67%
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥7.42
1465
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):16V(最大),占空比:80%
NXP(恩智浦)
SOIC-16
¥5.0886
11590
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:22.3 V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥11.216
46
输出隔离:非隔离,内部开关:是,拓扑:升压,降压,反激,正激,电压 - 启动:12.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.3V ~ 12V