HGSEMI(华冠)
SOP-8
¥0.932
2425
工作电压:10V~30V,开关频率:47kHz~57kHz,输出电流:1A,最大占空比:97%
MICRONE(南京微盟)
SOP-8-4.2mm
¥1.0223
0
HGSEMI(华冠)
SOP-8
¥0.932
1850
工作电压:10V~30V,输出电流:1A,工作温度:0℃~+70℃
chipown(芯朋微电子)
SOP-8
¥1.127
1959
工作电压:10V~30V,晶体管耐压:700V,特性:过热保护(OTP);恒流模式(CC);短路保护(SCP);恒压模式(CV);欠压保护(UVP);过压保护(OVP);过流保护(OCP),工作模式:PFM 调制;PWM 调制
HGSEMI(华冠)
DIP-8
¥1.17
360
是否隔离:非隔离,工作电压:10V~26V,开关频率:500kHz,最大占空比:50%
XINLUDA(信路达)
DIP-16
¥1.24
1314
工作温度:-40℃~+85℃
ST(意法半导体)
SO-16
¥1.386
4941
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V
OB(昂宝)
DIP-8
¥1.31
432
开关频率:45kHz~55kHz,最大占空比:66%,晶体管耐压:600V,拓扑结构:反激式
TI(德州仪器)
TSSOP-20
¥1.3696
0
输出类型:PWM 信号,功能:升压/降压,输出配置:正,拓扑:全桥,半桥,推挽,输出数:2
SILAN(士兰微)
DIP-8
¥1.37
828
OB(昂宝)
SOP-8
¥1.49
6806
工作电压:9V~25V,开关频率:90kHz,晶体管耐压:650V,拓扑结构:反激式
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥1.61
12
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥1.6714
1379
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
onsemi(安森美)
TSOP-6-1.5mm
¥1.7575
5397
输出类型:PWM,功能:升压/降压,输出配置:正,拓扑:反激,输出数:1
silergy(矽力杰)
SOP-8
¥1.78
3806
是否隔离:非隔离,工作电压:9V~16V,开关频率:45kHz,耗散功率(Pd):1.1W
TM(天微)
DIP-8
¥2.01
412
工作电压:10V~23V,开关频率:63kHz~71kHz,最大占空比:80%,晶体管耐压:650V
TM(天微)
DIP-8
¥2.09
225
工作电压:10V~23V,开关频率:63kHz~71kHz,最大占空比:85%,晶体管耐压:650V
停产
onsemi(安森美)
PDIP-8
¥2.16
6236
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10.6V ~ 20V,频率 - 开关:最高 200kHz
OB(昂宝)
SOP-8
¥1.26
4096
ST(意法半导体)
SO-16
¥2.304
52534
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V
TI(德州仪器)
PDIP-8
¥2.27
238
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
最后售卖
onsemi(安森美)
DIP-8
¥2.0054
158
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V
onsemi(安森美)
PDIP-8
¥2.27
5802
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥2.7574
1
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:60%
ST(意法半导体)
SSOP-10-150mil
¥2.7264
13997
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:730V,拓扑:反激,电压 - 启动:30 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8C
¥2.80841
4198
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥3.55
950
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
PDIP-8-C
¥3.2016
5214
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:54%
TI(德州仪器)
PDIP-8
¥3.3936
2
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥3.48
100
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.8V ~ 35V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-7
¥5.2948
1477
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:降压,降压升压,反激,占空比:69%
HGSEMI(华冠)
SOP-8
¥2.29
4330
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥3.7191
3025
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:13.4 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 20V
ST(意法半导体)
SSOP-10
¥5.2
100
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:8 V
HTCSEMI(海天芯)
SOT23-5
¥1.7856
2930
onsemi(安森美)
SOP-10
¥3.54352
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:17 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 28V
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥4.14
184
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.5V ~ 35V
RENESAS(瑞萨)
TDFN-8L
¥4.3356
37
开关类型:通用,输出数:1,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:高端,输出类型:N 通道
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ESOP-16-9mm
¥4.38256
12429
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,次级侧 SR,占空比:60%
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥4.87
84
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:77%
TI(德州仪器)
WQFN-20-EP(3x3)
¥4.47
100
拓扑:降压同步(2),线性(LDO)(2),输出数:4,频率 - 开关:400kHz,475kHz,电压/电流 - 输出 1:控制器,电压/电流 - 输出 2:控制器
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥4.606
222
应用:次级侧控制器,同步整流器,电压 - 供电:3.6V ~ 28V,工作温度:-40°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型,封装/外壳:SOT-23-6
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SOP-8
¥4.675
5465
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
TI(德州仪器)
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
¥3.74
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12.8 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):7.5V ~ 45V
ST(意法半导体)
SO-16
¥19.86
38
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:10.7 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 16.6V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥9.0062
19
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:降压,降压升压,反激,占空比:69%
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥4.85
150
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:10V ~ 30V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
MPS(Monolithic Power Systems)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥5.0568
5104
输出隔离:非隔离,内部开关:无,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,降压升压,反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):5.3V ~ 5.6V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥5.05
34
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥5.47
298
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%