OB(昂宝)
SOP-8
¥0.639
2160
OB(昂宝)
DIP-8
¥0.74
17913
工作电压:8V~25V,开关频率:72kHz,晶体管耐压:620V,特性:恒压模式(CV);欠压保护(UVP);过热保护(OTP);恒流模式(CC);短路保护(SCP);过压保护(OVP);过流保护(OCP)
OB(昂宝)
SOP-8
¥0.7482
5741
是否隔离:非隔离,工作电压:5.5V~12V,开关频率:36kHz~44kHz,输出电流:200mA
OB(昂宝)
SOP-8
¥0.996
3520
工作电压:8V~25V,开关频率:110kHz,晶体管耐压:650V,特性:恒压模式(CV);欠压保护(UVP);过热保护(OTP);恒流模式(CC);短路保护(SCP);过压保护(OVP);过流保护(OCP)
RICHTEK(立锜)
SOT-23-6
¥0.79352
10668
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:14.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):12V ~ 25V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥3
85
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
HGSEMI(华冠)
DIP-8
¥0.6766
655
工作电压:12V~25V,开关频率:500kHz,输出电流:1A,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOT-23-6
¥1.0816
1539
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:15.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 25V
HGSEMI(华冠)
DIP-16
¥1.0485
520
是否隔离:非隔离,工作电压:8V~40V,开关频率:100Hz~300kHz,输出电流:50mA
XINLUDA(信路达)
SOP-16
¥0.995
3962
工作温度:-40℃~+85℃
HGSEMI(华冠)
SOP-8
¥1.16
1000
工作电压:10V~30V,开关频率:47kHz~57kHz,输出电流:1A,耗散功率(Pd):862mW
TM(天微)
DIP-8
¥1.1682
1960
工作电压:10V~23V,开关频率:63kHz~71kHz,最大占空比:80%,晶体管耐压:650V
HGSEMI(华冠)
SOP-8
¥0.932
2285
工作电压:10V~30V,开关频率:47kHz~57kHz,输出电流:1A,耗散功率(Pd):1W
chipown(芯朋微电子)
DIP-7
¥1.256
0
OB(昂宝)
DIP-8
¥1.2801
2604
开关频率:65kHz~77kHz,拓扑结构:反激式,工作模式:CCM;PFM 调制;QR
silergy(矽力杰)
SO-8
¥1.6618
30116
chipown(芯朋微电子)
DIP-7
¥1.365
0
HTC
DIP-16
¥1.31
1937
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线
¥1.1268
12211
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:55%
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥1.89
930
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
TM(天微)
DIP-8
¥1.71
1485
工作电压:10V~23V,开关频率:63kHz~71kHz,输出电流:2A,最大占空比:80%
ST(意法半导体)
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥1.1625
3209
模式:间歇(跃迁),电流 - 启动:90 µA,电压 - 供电:10.3V ~ 22.5V,工作温度:-25°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型
XINLUDA(信路达)
SOP-16-300mil
¥1.72
1874
ST(意法半导体)
SSOP-10-150mil
¥1.77
12306
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,反激,电压 - 启动:13 V
MICRONE(南京微盟)
DIP-8
¥2.17
153
输出电流:3A,晶体管耐压:600V
EG(屹晶微)
SOP-16
¥2.21
2713
工作电压:10V~20V,开关频率:112kHz~124kHz,最大占空比:47.5%,拓扑结构:半桥式
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥2.31
8228
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12.6 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):7.7V ~ 18V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥2.4598
142
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
PDIP-8-C
¥3.02
5111
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:67%
TI(德州仪器)
DIP-8
¥2.27
172
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥1.32917
1344
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
chipown(芯朋微电子)
DIP-8
¥2.3
3
工作电压:8V~40V,开关频率:60kHz~70kHz,最大占空比:90%,晶体管耐压:650V
onsemi(安森美)
SOT-23-6
¥4.88
15
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:18 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.9V ~ 35V
ST(意法半导体)
DIP-7
¥2.912
2950
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:13 V
TI(德州仪器)
SOIC-7
¥3.00829
7533
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:9.5 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥3.02
10404
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
onsemi(安森美)
SOP-10
¥3.541
23
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:17 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 28V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8C
¥3.01
2109
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-SMD(7 个接脚),鸥翼
¥3.248
1131
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:降压,降压升压,反激,占空比:69%
停产
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥3.28
9
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥0.7976
2636
模式:间歇(跃迁),电流 - 启动:46 µA,电压 - 供电:8.5V ~ 34V,工作温度:-40°C ~ 125°C(TA),安装类型:表面贴装型
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥2.2
100
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
MPS(Monolithic Power Systems)
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥3.212
7732
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):13V ~ 15.5V,占空比:50%
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥4.0572
311
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:60%
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥3.32
51
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 28V
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥3.88
92
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
onsemi(安森美)
WDFN-8(2x2)
¥4.26
39
应用:次级侧控制器,同步整流器,电压 - 供电:35V,工作温度:-40°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型,封装/外壳:8-WFDFN
TI(德州仪器)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线
¥4.64
77
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:21 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 35V
onsemi(安森美)
SOIC-9-150mil
¥3.58065
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:17 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 28V
ST(意法半导体)
SOP-10
¥4.71
123
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,反激,电压 - 启动:13 V