RICHTEK(立锜)
SOP-7
¥1.55
1165
晶体管耐压:700V,拓扑结构:反激式,特性:过热保护(OTP);过压保护(OVP)
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-7
¥2.23
5283
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:55%
OB(昂宝)
SOP-8
¥1.75
2181
停产
DIODES(美台)
SOIC-7
¥1.4744
63
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:15.5 V
XINLUDA(信路达)
DIP-16
¥1.492
553
工作电压:8V~35V,耗散功率(Pd):1000mW,最大占空比:49%,工作温度:-40℃~+85℃
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线
¥1.8824
51113
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:70%
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥1.3464
1732
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
EG(屹晶微)
SOP-16
¥1.92
2
ROHM(罗姆)
SOIC-8
¥1.881
14348
输出隔离:任意一种,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:13.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.9V ~ 26V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥1.91
95
模式:连续导电(CCM),频率 - 开关:18kHz ~ 250kHz,电流 - 启动:75 µA,电压 - 供电:21V,工作温度:-40°C ~ 125°C
onsemi(安森美)
SOIC-14
¥1.9206
749
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SOIC-7
¥1.99
3351
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:70%
chipown(芯朋微电子)
DIP-8
¥1.95
170
是否隔离:隔离,工作电压:10V~30V,晶体管耐压:720V,拓扑结构:反激式
chipown(芯朋微电子)
SOP-8
¥2.36
3519
输出电流:3A,晶体管耐压:100V,拓扑结构:反激式,特性:欠压保护(UVP)
HTCSEMI(海天芯)
WSOP-16
¥1.5744
1571
NXP(恩智浦)
SC-74
¥1.84
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:22 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10.5V ~ 36V
DIODES(美台)
SO-8
¥2.184
292
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5V ~ 15V
ST(意法半导体)
SO-16
¥3.6162
21
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:14 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-7
¥2.1336
3850
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:60%
onsemi(安森美)
SOP-8
¥2.211
18
内部开关:是,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 20V,占空比:95%
DIODES(美台)
SO-8-EP
¥0.4704
7964
应用:次级侧控制器,同步整流器,电压 - 供电:3.3V ~ 6V,电流 - 供电:100 µA,工作温度:-40°C ~ 85°C,安装类型:表面贴装型
DIODES(美台)
SO-7
¥1.34
3913
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:降压,反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.2V ~ 8.8V
TI(德州仪器)
VSSOP-8
¥2.4
188
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激转换器,输出数:1
ST(意法半导体)
SOIC-14
¥2.48519
897
模式:间歇(跃迁),电流 - 启动:50 µA,电压 - 供电:10.3V ~ 22V,工作温度:-25°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥3.076
70
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.9V ~ 28V
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥2.0724
1422
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 28V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
PDIP-8-C
¥2.6
156
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:55%
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥2.56
45
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥2.6
67650
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
ROHM(罗姆)
SSOP-6
¥3.1622
544
输出隔离:任意一种,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:13.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.5V ~ 26V
ST(意法半导体)
SOP-10
¥2.3564
30977
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:730V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 启动:13 V
ST(意法半导体)
SO-8
¥2.8152
7
模式:间歇(跃迁),电流 - 启动:30 µA,电压 - 供电:10.5V ~ 22.5V,工作温度:-25°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型
onsemi(安森美)
DIP-8
¥2.85
2020
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-7
¥3.132
5455
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:60%
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥4.98
65
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,正激,电压 - 启动:10 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 28V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥3.51
1192
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:54%
停产
onsemi(安森美)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥3
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8C
¥5.0941
100
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:67%
ST(意法半导体)
SO-8
¥2.11
834
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,升压,输出数:1
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥3.0456
160
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.9V ~ 28V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8B
¥3.85
78
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:60%
ST(意法半导体)
SSOP-10
¥3.2526
30
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:降压,降压升压,反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):4.5V ~ 30V
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOIC-7
¥3.852
25
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:12.6 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-14
¥3.39
92
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,反激,正激,输出数:1
onsemi(安森美)
TSOP-6-1.5mm
¥3.65
20
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,电压 - 启动:18 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.8V ~ 28V
ST(意法半导体)
SOIC-16
¥4.5661
66
输出隔离:任意一种,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:13 V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥2.816
2186
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
ST(意法半导体)
SOIC-16
¥3.6991
302
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:13 V
onsemi(安森美)
SOT-223-4
¥3.4584
2585
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 启动:8.2 V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥3.86
5571
模式:临界传导(CRM),电流 - 启动:20 µA,电压 - 供电:8.5V ~ 25V,工作温度:-40°C ~ 105°C,安装类型:表面贴装型