CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.0968
44139
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
晶导微电子
SMA
¥0.1006
45820
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@2000V
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.2
324551
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.2132
14632
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.3016
765
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.3651
98362
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.78936
5076
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SMAF
¥0.0142
42779
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.028785
14850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.05
124174
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):175mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.0546
48795
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):2.5uA@1kV
DIODES(美台)
SOT-523-3
¥0.22612
5055
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):125mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.247
16563
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
onsemi(安森美)
SOD-123F
¥0.396
2852
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.01841
5599
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
华轩阳
SMA
¥0.0214
103755
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.03738
19150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.05157
17998
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SMBF
¥0.053
10300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.068495
76700
正向压降(Vf):3V@500mA,直流反向耐压(Vr):3kV,整流电流:200mA,反向电流(Ir):5uA@3kV
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.09272
132947
正向压降(Vf):1.7V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.237
28174
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
SMF
¥0.245
191652
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DPAK
¥1.07
52668
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
KUU(永裕泰)
SMAF
¥0.014872
347750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0242
106150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.02816
57294
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
Slkor(萨科微)
SOD-523
¥0.0357
6320
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:155mA
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.0693
75512
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.09101
4960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@50mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:100mA
SUNMATE(森美特)
DO-15
¥0.113905
43570
正向压降(Vf):5V@200mA,直流反向耐压(Vr):5kV,整流电流:200mA,反向电流(Ir):5uA@5kV
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.12272
28629
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@50mA,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:50mA
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.107
48102
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.127
60815
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.1V@50mA,直流反向耐压(Vr):175V,整流电流:100mA
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.15
202974
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.1628
15464
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.1802
5235
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@20V
onsemi(安森美)
SOD-80
¥0.2902
2000
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.45
22126
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.1305
50
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@400V
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.02739
160667
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.061845
7300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.10665
4476
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.1188
275682
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
R-6
¥0.459
2691
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 10 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.9214
9915
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
JUXING(钜兴)
SOD-123FL
¥0.015865
7900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.07904
37014
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):130 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.088
517794
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0572
11956
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA