SHIKUES(时科)
SOD-882
¥0.03227
7150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0446
10000
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
晶导微电子
SMAF
¥0.0462
83115
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0318
15015
正向压降(Vf):540mV@200mA,直流反向耐压(Vr):28V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):90uA@40V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.061194
6000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.06764
1800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.08018
11515
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
WILLSEMI(韦尔)
SOD-523
¥0.0675
161709
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@10V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0748
100140
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.08
7569
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.088
69591
正向压降(Vf):500mV@100mA,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):20uA@10V
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.08897
7820
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1mA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.089965
6180
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
TOSHIBA(东芝)
SOD-923
¥0.098
86030
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.0936
5380
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.1157
895
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FOSAN(富信)
SMC
¥0.1254
5170
ST(先科)
DO-35-1
¥0.1177
8867
正向压降(Vf):700mV@5mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:50mA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500mA
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.118
60011
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1307
20046
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@20V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.13401
3880
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500nA
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.137
249638
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
晶导微电子
SMBF
¥0.143
180778
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
晶导微电子
SMC
¥0.1485
4354
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:3A
FOSAN(富信)
SMC
¥0.1691
1090
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):20uA@40V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.16344
4830
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,工作结温范围:-55℃~+150℃
Nexperia(安世)
DFN1608-2
¥0.1746
22483
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):415 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
MCC(美微科)
DO-214AC(SMA)
¥0.171
1730
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOT-323-3
¥0.171
16707
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.183204
32328
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SC-75(SOT-523)
¥0.173
15474
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
PANJIT(强茂)
SOD-123HE
¥0.194
6950
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.19035
4720
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
晶导微电子
SMBF
¥0.22
8112
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.2252
130
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.2541
48410
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.24567
5
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:8A
JUXING(钜兴)
SMC
¥0.25175
1485
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB
¥0.2372
4195
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A
PANJIT(强茂)
SOD-323HE
¥0.2671
50
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):630mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.27117
2420
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.28
219
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.319295
3235
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,工作结温范围:-50℃~+150℃
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.295
356080
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.32661
40
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
CLP-1006-2L
¥0.32
38791
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.3016
7344
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
DIODES(美台)
PowerDI323
¥0.4868
65982
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMBF
¥0.33726
95474
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.289
54940
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)