KUU(永裕泰)
SMB
¥0.04503
22620
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.04264
14240
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0495
80571
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):20uA@100V
UMW(友台半导体)
SMAF
¥0.047
23776
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
LRC(乐山无线电)
SOT-323-3
¥0.0613
192208
正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0693
12239
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-523
¥0.078755
3260
正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):80uA@40V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.07644
16077
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMAF
¥0.081
6500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
晶导微电子
SMBF
¥0.0825
188012
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.126065
2830
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@10mA,直流反向耐压(Vr):30V,反向电流(Ir):13nA@25V
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.0927
335886
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.12425
6800
正向压降(Vf):470mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):100uA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0924
10669
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
平晶
SMAF
¥0.1157
2320
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.088
67871
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.1627
8810
正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1563
60
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.114
21267
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):15mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1167
6406
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323HE
¥0.1312
264460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.11961
17260
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
Slkor(萨科微)
SMB(DO-214AA)
¥0.1361
1953
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1397
1759
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@700mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.139
17381
正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10mA
ElecSuper(静芯)
SMB(DO-214AA)
¥0.1528
2340
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
MicroSMP
¥0.17655
528844
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SMA
¥0.1375
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.1516
4055
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.15372
3400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:3A
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.149
23372
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SOT-23
¥0.1797
410
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.101
9774
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
YFW(佑风微)
DO-15
¥0.1344
3360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.24453
8067
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SMC
¥0.16992
10440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.17888
81194
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 35 V
UMW(友台半导体)
SMC
¥0.18
7368
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
PANJIT(强茂)
DO-15
¥0.155
141417
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,工作结温范围:-50℃~+125℃
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.1653
3930
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
MCC(美微科)
SMA
¥0.2145
1026
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1531
3220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):875mV@3A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.192
3
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-323HE
¥0.194
1600
正向压降(Vf):700mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):30uA@60V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2496
67975
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@100V
RUILON(瑞隆源)
SMA(DO-214AC)
¥0.235488
4165
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:3A
YFW(佑风微)
SMBF
¥0.2621
2232
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
SMB
¥0.27
616392
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.2363
830
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.2464
7416
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@200V