CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0802
6900
直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):10uA@40V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):1A
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.0437
12882
正向压降(Vf):470mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.06344
1531
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
ST(先科)
LL-34
¥0.067
2760
正向压降(Vf):1V@4mA,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):50uA@10V
PANJIT(强茂)
SOT-323-3
¥0.0685
20257
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA
LRC(乐山无线电)
SOD-723
¥0.065
1545946
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):350mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.0992
2456
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
Tokmas(托克马斯)
SOD-123FL
¥0.0783
2640
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-923
¥0.0795
500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):400mV@20mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
Prisemi(芯导)
DFN1006-2L
¥0.0751
6100
正向压降(Vf):370mV@10mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10uA@10V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0805
9780
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:15mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0836
477
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0836
513898
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@20V
FUXINSEMI(富芯森美)
DFN1006
¥0.08622
8880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):610mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SMAF
¥0.099
75209
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.09368
5960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
ST(先科)
DO-41
¥0.0911
2599
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.1078
29424
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ElecSuper(静芯)
SOD-123FL
¥0.10953
360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.112
7396
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SOT-363
¥0.1254
2120
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.0924
83181
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.08823
34972
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-35
¥0.12
17116
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMBF
¥0.121
134894
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@60V
晶导微电子
SMB
¥0.121
47657
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.12616
3154
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
UTC(友顺)
SOD-123
¥0.1421
300
正向压降(Vf):430mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):130uA@30V
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.1426
249228
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.15512
6490
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.185
28803
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMB
¥0.159
2865
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1678
5575
正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.1859
5865
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMAF
¥0.253
3919
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@200V
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.19332
1410
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):525mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
最后售卖
Comchip(典琦)
SOD-923F
¥0.627
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1994
0
正向压降(Vf):850mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.2022
4810
正向压降(Vf):770mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@100V
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.2553
2850
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.197
60726
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 µA @ 40 V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.2254
14064
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA
VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.2834
10010
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.2592
1900
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.2115
4100
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.232848
29082
正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@100V
VISHAY(威世)
SOD-523
¥0.266
8746
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.2845
1705
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.26928
5643
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.299
8760
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)