DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.299
56817
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.31
588
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.339
10572
二极管配置:2 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
晶导微电子
SMB
¥0.308
72413
正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@60V
晶导微电子
SMB
¥0.3959
9896
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A
DIODES(美台)
SMA
¥0.36
32694
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMC
¥0.377
5
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.37591
157478
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):4V,电流 - 最大值:30 mA,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz,不同 If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1kHz
ROHM(罗姆)
SOD-323
¥0.3811
7195
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):700mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-882D
¥0.366324
7856
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-523
¥0.3996
1100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.386298
9447
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
TO-277
¥0.4284
3235
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.45
31843
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):310 mV @ 100 mA
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.424
9790
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.4591
2225
正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@40V
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.4792
2700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.39328
1010
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
晶导微电子
SMC
¥0.54
492
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
JUXING(钜兴)
ITO-220AB
¥0.52649
1930
正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,反向电流(Ir):20uA@200V
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT-666-6
¥0.475
5900
二极管配置:2 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
ST(意法半导体)
SMC
¥0.6549
5178
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.544
26013
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.47496
1810
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):480mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.568195
1605
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):420mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.588
10978
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB
¥0.37045
100728
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOREX(特瑞仕)
SOD-123A
¥0.7382
70
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.8424
9990
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥0.695
23884
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.76931
2000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):670mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB-3
¥0.79911
782
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@30A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277
¥0.84321
970
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
VISHAY(威世)
DO-221AC(SLIMSMA)
¥0.8322
12551
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.1002
2394
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 100 V
LRC(乐山无线电)
TO-277A
¥0.8136
1030
正向压降(Vf):880mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A,反向电流(Ir):15mA
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.8496
3641
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
UTC(友顺)
TO-263
¥1.12238
1345
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)
¥1.3668
15750
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):730 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.41
132817
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2.4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.34 V @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-220F
¥4.03
12
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):975 mV @ 10 A
VISHAY(威世)
TO-220AB-3
¥3.14465
30483
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 15 A
VISHAY(威世)
TO-247AC-3
¥5.4496
5658
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):40A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 40 A
YANGJIE(扬杰)
F3
¥80.9
0
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):850mV@400A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:400A
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0254
35430
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.0265
5307
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):21V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.2862
8906
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
KUU(永裕泰)
SOD-523
¥0.0296
61150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.01904
18000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.044826
36576
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A