MDD(辰达行)
DO-41
¥0.1067
8047
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@100V
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1286
80
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.09248
100387
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
停产
ROHM(罗姆)
SC-79
¥0.11951
5396
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-323(SC-70)
¥0.1198
3124
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
ST(意法半导体)
DO-35
¥0.108
17811
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.12792
165145
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.12771
1030
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.1287
79093
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.15849
9290
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.247
13111
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DOWO(东沃)
SMC
¥0.2087
4840
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@200V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.20904
18804
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.1942
4220
正向压降(Vf):500mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@40V
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.2134
5045
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SMBF
¥0.229425
6395
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.231
109902
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2178
24472
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@60V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2385
7960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2.1A
DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.29744
27249
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.2094
0
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
晶导微电子
SMA
¥0.262
10298
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.308
31994
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.38
7590
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.391
415
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
SMC(DO-214AB)
¥0.3234
2989
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AA(SMB)
¥0.19032
6921
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.4071
1315
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 60 V
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.3411
343
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):7V,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):225 mW,工作温度:150°C(TJ)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.4621
17045
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):770mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123FL
¥0.34216
6115
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123HE
¥0.313
4587
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMC(DO-214AB)
¥0.51
3263
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
TO-252
¥0.5389
4839
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.4543
36061
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.4875
76806
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.568656
2260
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):30V,不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 15V,1MHz,功率耗散(最大值):225 mW,工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
ST(意法半导体)
DO-221AA(SMB)
¥0.6152
118074
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-252-2
¥0.6806
2910
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.39832
108807
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SMB
¥0.771056
1680
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥1.6585
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.6774
805
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMC(DO-214AB)
¥0.32864
19183
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-277
¥0.85595
5835
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):740mV@12A,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:12A
DIODES(美台)
PowerDI-5
¥0.93
4448
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥1.47487
47
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-263
¥1.0976
351
正向压降(Vf):580mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:30A,反向电流(Ir):5mA@100V
SMC(桑德斯)
DPAK
¥1.0386
2460
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.24
362351
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)