YANGJIE(扬杰)
TO-277
¥0.6
13353
正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.1
232663
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-263-2
¥1.77
626
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 15 A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-263(D2PAK)
¥3.6
428
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):830mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:40A
晶导微电子
SOD-123
¥0.0193
17228786
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA@30V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0584
266091
正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:120mA,反向电流(Ir):1uA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0477
14626
正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:75mA,反向电流(Ir):500nA@1.5V
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0602
3380
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@0.5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.06228
9360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.0639
4220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:300mA
AnBon(安邦)
SOD-323
¥0.0557
6357
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@520mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
华轩阳
SMA
¥0.071535
10940
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMAF(DO-214AD)
¥0.0657
5280
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.07407
11476
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
KUU(永裕泰)
SMA
¥0.0817
40125
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0828
1740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.0805
435709
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.08523
940
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMD1006(0402)
¥0.08384
7020
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1
29300
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.08647
49762
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@0.5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1359
7910
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.13
249764
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
MicroSMP
¥0.1777
193049
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB
¥0.1376
4460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.1323
12030
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.12402
12308
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.1456
71972
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SOD-323HE
¥0.15656
7110
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@700mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.163
104505
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(意法半导体)
MiniMELF
¥0.179
1259
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.2367
2483
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@9A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
PowerDI323
¥0.1976
51578
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.2079
84917
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
WILLSEMI(韦尔)
FBP1608-2L
¥0.19032
63148
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.22568
1646
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Tokmas(托克马斯)
DO-214AA
¥0.2015
190
正向压降(Vf):840mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.141
29996
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.2288
5199
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC
¥0.264
68834
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@200V
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.08372
15006
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.27768
5505
直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@200V,工作结温范围:-55℃~+150℃
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.16755
3514
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
DSN1006-2
¥0.241758
72403
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMC
¥0.2961
9201
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.30051
8674
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
JUXING(钜兴)
TO-252
¥0.29792
2510
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
SMC
¥0.3339
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A
ST(先科)
SMA(DO-214AC)
¥0.4179
0
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.332
11418
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)