GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.30528
3095
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.36708
6115
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):600uA@60V
DIODES(美台)
DO-214AB,SMC
¥0.366
281806
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMB
¥0.3431
5995
正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A,反向电流(Ir):1mA@40V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.4256
2860
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@200V
DIODES(美台)
SOT-363-6
¥0.41
55791
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.44824
88322
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 55 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.242
38889
正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@40V
SMC(桑德斯)
DO-214AB(SMC)
¥0.446831
205
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMC(DO-214AB)
¥0.4646
6435
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 µA @ 60 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.462132
62509
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-221AA(SMB)
¥0.509
6746
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.5142
3030
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@60V
ST(意法半导体)
SMC(DO-214AB)
¥0.589
12032
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.55536
6069
正向压降(Vf):950mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A,工作结温范围:-55℃~+150℃
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥1.1173
2660
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.8474
2945
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥1.0242
60340
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥1.06495
1105
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
D2PAK
¥1.48
366
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥1.4768
8458
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB,SMC
¥1.3936
73131
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):440 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-263-2L
¥2.23
272
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):520mV@20A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:40A
YFW(佑风微)
TO-263
¥2.66
1663
正向压降(Vf):750mV@30A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:60A,反向电流(Ir):14mA@100V
Liown(里阳)
TO-220AC
¥6.24
0
正向压降(Vf):1.7V@8A,直流反向耐压(Vr):650V,平均整流电流(Io):8A
onsemi(安森美)
TO-220AC-2
¥7.056
253
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):40A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):970 mV @ 40 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0224
19080
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
JSMSEMI(杰盛微)
SMA(DO-214AC)
¥0.034496
10400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
华轩阳
SOD-323
¥0.04148
3050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.03933
950
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
晶导微电子
SMA
¥0.0396
753889
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@20V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0505
77971
正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:120mA,反向电流(Ir):1uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23(TO-236)
¥0.04194
17950
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
华轩阳
SOD-323
¥0.0499
8450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
KEXIN(科信)
SOT-23
¥0.0437
8250
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
ST(先科)
SOT-23
¥0.0473
28623
直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:300mA,反向电流(Ir):2uA@25V,工作结温范围:-55℃~+150℃
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0464
461953
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):30uA@10V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.04986
8550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMA
¥0.0642
13385
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SMAF
¥0.055648
205900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0571
62573
直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123
¥0.04753
25375
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.062
2830
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):220mV@0.1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.104
3780
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):650mV@50mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
X3-DFN0603
¥0.05543
94247
正向压降(Vf):300mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10uA
GOODWORK(固得沃克)
DO-41
¥0.06588
4340
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
DOWO(东沃)
SMB
¥0.0953
18793
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0836
37072
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.084
27417
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
SMAF
¥0.09162
17145
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A