SMC(桑德斯)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥1.94
793
二极管配置:1 对共阴极,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-220-2
¥2.4354
1574
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.0218
13300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323(SC-90)
¥0.02358
17350
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.0332
20550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.041888
3650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@0.2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0473
7700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@15mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.05985
15950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.060705
9199
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.06487
84420
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):40uA@40V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.07137
780
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
华轩阳
SMA
¥0.080495
4040
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
晶导微电子
SMAF
¥0.0825
129464
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@20V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.08874
11820
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
UMW(友台半导体)
SMB
¥0.0862
8300
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@100V
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-214AC(SMA)
¥0.09328
108275
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥0.103
57254
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1144
661499
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.121
48820
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
BORN(伯恩半导体)
SMB
¥0.1623
13872
正向压降(Vf):750mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):400uA@60V
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.212135
4230
正向压降(Vf):525mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):2mA@40V,工作结温范围:-65℃~+125℃
LGE(鲁光)
SMB
¥0.22806
5985
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.2612
0
正向压降(Vf):550mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):500nA@25V
MCC(美微科)
DO-221AC
¥0.2352
71812
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ElecSuper(静芯)
SMB
¥0.2358
838
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.23
56739
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.255
165150
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMA
¥0.2641
24118
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SC-76,SOD-323
¥0.4086
5805
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMC
¥0.308
207383
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@100V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.34263
5318
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.362425
2905
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@100V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.37017
2845
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):320mV@1A,直流反向耐压(Vr):15V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.34
405361
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.383229
4093
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.38272
11553
正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@60V
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.327
82467
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.39051
6180
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-201AD
¥0.47637
940
正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@200V
LGE(鲁光)
SMC
¥0.37035
4795
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.68014
23370
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.7488
52839
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.16A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.7078
14242
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.71288
1241
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
MCC(美微科)
SMC(DO-214AB)
¥0.7637
1425
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.6058
0
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@60V
VISHAY(威世)
DO-221AC
¥0.73728
3675
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.79579
15325
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-263-2
¥0.929955
719
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):810mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.86
11537
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)