晶导微电子
TO-252
¥0.2709
140
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
MCC(美微科)
DO-41
¥0.2653
150
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.26442
2820
正向压降(Vf):440mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@30V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.3991
1786
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.3144
1680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@500mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
DIODES(美台)
DO-214AC
¥0.28
24585
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.28
5303
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.271
66402
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-523-3
¥0.306
21955
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA
DIODES(美台)
DO-41
¥0.2861
25847
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMC
¥0.153264
270
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.3367
2905
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@150V
SMC(桑德斯)
SMAF
¥0.28975
7155
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.290035
5
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.291
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
ROHM(罗姆)
SOD-723-2
¥0.2917
41725
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA
Nexperia(安世)
DSN0603-2
¥0.297
26358
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMC
¥0.16575
454
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:8A
DIODES(美台)
DO-214AD
¥0.3069
26928
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.3395
2330
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.392
54963
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
0201
¥0.275383
5215
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-220AA
¥0.3287
61971
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMC
¥0.3075
2740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.3078
195
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMBF
¥0.4113
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.3085
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
DIODES(美台)
DO-221AC(SMA)
¥0.302
39720
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMB
¥0.17
27539
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
DO-214AD
¥0.24
9340
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.299
1720
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.3289
14943
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Slkor(萨科微)
SMC
¥0.2303
2585
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):20nA@100V
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.3501
2490
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.58507
854
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.32848
53375
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):410mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
ROHM(罗姆)
VMN-2
¥0.3374
15
正向压降(Vf):350mV@10mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10uA@10V
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.3608
145
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA
Infineon(英飞凌)
SOT-323-3
¥0.321
9115
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 100 mA
Nexperia(安世)
DFN1006-2
¥0.329868
47731
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363-6
¥0.331
1479
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
Comchip(典琦)
SMA(DO-214AC)
¥0.3327
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SOD-123
¥0.3344
40
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.27688
1205
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
DO-220AA
¥0.283
31414
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.35827
62
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.3882
1095
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):660mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
TOSHIBA(东芝)
S-FLAT
¥0.342259
1494
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.34504
1560
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.334875
400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A