CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.1891
8955
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,反向电流(Ir):100nA@50V
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.16983
2520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.1988
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SMC
¥0.14231
210
正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):20uA@200V
DIODES(美台)
SOT-323-3
¥0.195
13228
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.19035
1730
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@30V
AnBon(安邦)
SMB
¥0.4871
5
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1803
7060
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.205
29342
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.18876
4819
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
停产
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.212
0
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.21349
8090
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
Digi-Key 停止提供
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.2176
2120
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.2179
0
正向压降(Vf):900mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@200V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.2115
1650
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@80V
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.172224
3930
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.22
16620
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)
¥0.22
4416
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.2268
2350
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,反向电流(Ir):100nA@50V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.2283
13063
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-563
¥0.2287
1030
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
Nexperia(安世)
SC-70
¥0.2411
33512
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 100 mA
LGE(鲁光)
SMB
¥0.23265
11895
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
MCC(美微科)
DO-221AC(SMA-FL)
¥0.2338
9400
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMBF
¥0.19704
395
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Digi-Key 停止提供
MCC(美微科)
DO-214AC(SMA)
¥0.2361
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.190994
535
二极管配置:2 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA
¥0.2473
0
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):640mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.2421
0
正向压降(Vf):580mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):30uA
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.245
20386
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.23265
2580
正向压降(Vf):700mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@30V
停产
ST(意法半导体)
SOT-323
¥0.4972
6025
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SC-70
¥0.2509
1472
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.25091
275
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):630mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.2843
90
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
TOSHIBA(东芝)
SC-59
¥0.2486
333650
正向压降(Vf):630mV@50mA,直流反向耐压(Vr):10V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):500nA@10V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.214176
5395
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AC(SMA)
¥0.91728
500
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.23265
3015
正向压降(Vf):950mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):80V,工作结温范围:-50℃~+150℃
GOODWORK(固得沃克)
SMB
¥0.26856
335
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@3A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:3A
晶导微电子
SMBF
¥0.264
36077
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@150V
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.2646
7593
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 15 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.26614
130
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.263802
2450
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.269
2095
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ElecSuper(静芯)
SMB
¥0.2694
2269
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):150V,反向电流(Ir):50uA
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.27
11889
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+150℃
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.2772
2992
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.2703
4370
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
晶导微电子
SMBF
¥0.3909
410
正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@45V