Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.615384
74920
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SC-76,SOD-323
¥0.6321
1002
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):4V,电流 - 最大值:30 mA,不同 Vr、F 时电容:0.65pF @ 0.5V,1MHz,工作温度:150°C(TJ)
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.5224
130
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):650mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥0.64
389
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.06V@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
DIODES(美台)
SMB
¥0.579
16183
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMC(DO-214AB)
¥0.6448
9449
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
CST2C
¥0.9547
13588
正向压降(Vf):400mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):500uA@30V
晶导微电子
ITO-220AB
¥0.95
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.6561
2015
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.5932
705
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SMC(DO-214AB)
¥2.09
18
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.4368
25
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
MOT(仁懋)
TO-220F
¥0.65968
125
正向压降(Vf):820mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A,反向电流(Ir):50uA@100V
MSKSEMI(美森科)
TO-277
¥0.59415
290
正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@80V
TECH PUBLIC(台舟)
TO-277B
¥0.6655
9830
正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):150uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.6786
2430
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):670mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.6682
200
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.6699
145
正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@60V
VISHAY(威世)
MicroSMP(DO-219AD)
¥0.4832
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.53244
45
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.5069
0
正向压降(Vf):680mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1.5uA@60V
Infineon(英飞凌)
SOT-323
¥0.686
2773
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220F
¥0.69904
20
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@15A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:30A
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.6991
20
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):600mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
DIODES(美台)
TO-220AB
¥0.702
874
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):790mV@10A,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.70506
195
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TOSHIBA(东芝)
SOD-128
¥1.8405
14
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.7105
5
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥0.7116
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.7119
12337
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):810 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252-2
¥0.715
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.385
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):490mV@1.5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1.5A
ROHM(罗姆)
SOT-416
¥0.7154
8293
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA
PANJIT(强茂)
TO-263
¥1.6437
20
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A
SILAN(士兰微)
TO-220-3L
¥0.723
10
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.73773
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.79224
95
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):660mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
ST(意法半导体)
DO-214AC
¥0.8701
9044
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):890 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
ITO-220AB-3
¥0.5963
5115
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
Slkor(萨科微)
TO-277
¥0.7573
170
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥1.51
114
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥0.7573
10
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
Infineon(英飞凌)
SOT-143
¥0.509
25
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
SILAN(士兰微)
TO-220
¥0.77
0
正向压降(Vf):750mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.77995
565
正向压降(Vf):780mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@60V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥0.6156
57
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.05V@15A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:30A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.7455
4530
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-220AC
¥0.77958
95
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A
SILAN(士兰微)
TO-220F-3
¥0.7818
935
正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.3796
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)