晶导微电子
SOD-123HE
¥0.132
312732
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.129
12927
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.243
14146
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.051946
790
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
AnBon(安邦)
SMA
¥0.0965
1100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
SMB(DO-214AA)
¥0.1024
12696
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@100V
TOSHIBA(东芝)
SC-76(SOD-323)
¥0.2171
2810
正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):5uA@40V
晶导微电子
SMBF
¥0.1394
5180
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:2A
DIODES(美台)
X2-DFN1006-3
¥0.133
29244
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YFW(佑风微)
SMB
¥0.142
9969
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.16
8
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMA
¥0.143
295948
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1945
130
正向压降(Vf):480mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A,反向电流(Ir):50uA
VISHAY(威世)
DO-35
¥0.14515
3990
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):10 ns
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1455
140280
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.1419
1180
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.14599
3480
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.153
37337
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.15
11465
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.141
187508
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA
Hottech(合科泰)
SOD-123FL
¥0.150765
2080
直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):70A
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.133
57903
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.1526
21362
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SC-70
¥0.0814
54796
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.1616
125006
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
DFN1006-2
¥0.1617
476
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SMA-W
¥0.1048
4920
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@20V
PANJIT(强茂)
DO-41
¥0.1635
5010
正向压降(Vf):500mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,工作结温范围:-55℃~+150℃
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.15867
2840
正向压降(Vf):630mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,反向电流(Ir):30uA@60V,工作结温范围:-65℃~+175℃
LRC(乐山无线电)
SMB-FL
¥0.1651
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
Hottech(合科泰)
SMC(DO-214AB)
¥0.1658
4634
二极管配置:独立式
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.15867
670
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):440mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.16686
5840
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.1113
2485
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.2218
32416
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 250 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.16644
17588
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-962
¥0.1763
43292
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.158
4584
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.15266
580
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
DO-15
¥0.1716
0
正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.211
2310
直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V,工作结温范围:-40℃~+125℃
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.15867
5550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1756
220
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.172
24177
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.18
5459
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
GOODWORK(固得沃克)
SMBF
¥0.1296
1515
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.1998
0
正向压降(Vf):950mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@150V
最后售卖
Comchip(典琦)
SOD-923F
¥0.1855
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
MicroSMP(DO-219AD)
¥0.2713
60
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
WILLSEMI(韦尔)
DFN1006-3L
¥0.166
47143
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA