YANGJIE(扬杰)
SOD-323
¥0.096
2480
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±2.09%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.09378
130
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.92V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0759
22120
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@1.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
AnBon(安邦)
SOD-323
¥0.0942
1860
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):5V~5.2V
ST(先科)
SOD-323
¥0.09828
7732
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.2V,反向电流(Ir):120uA@0.7V,稳压值(范围):2.08V~2.33V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.10678
3980
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.09335
63344
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.125
23311
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±7%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1
17769
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.14%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1001
15620
稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA@6V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):4.5Ω
MSKSEMI(美森科)
SMAF
¥0.09557
2920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,稳压值(范围):5.86V~6.51V,耗散功率(Pd):1W
CJ(江苏长电/长晶)
WBFBP-02C
¥0.1007
5620
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V,耗散功率(Pd):100mW
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.099
18343
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):200 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 39.2 V
onsemi(安森美)
DO-204
¥0.137
703
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):33 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 18 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0975
19300
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.084588
8420
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±2.48%,功率 - 最大值:365 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 21 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0966
2340
稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):19.6V~20.4V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0869
3680
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):250nA@23V,稳压值(范围):28.5V~31.5V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.1029
1882
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.1045
0
稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V,耗散功率(Pd):1W
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1045
25590
二极管配置:1对共阳极,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V,耗散功率(Pd):300mW
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.13
31907
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):4uA,耗散功率(Pd):2W
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1051
2340
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):93 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 33 V
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.0941
73010
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.105
73672
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:150 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.090132
14844
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.106304
8860
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA@6V,稳压值(范围):7.79V~8.67V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.107016
7430
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
Leiditech(雷卯电子)
SOD-123
¥0.05085
1879
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):40nA@11V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.12768
29041
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):500nA@11.4V,耗散功率(Pd):2W
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.109
5860
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.1037
4360
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.10374
8920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):5uA@23V,稳压值(范围):28.2V~32V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0983
4080
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):49 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 23 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.11
6740
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):91V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):86V~96V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1103
12410
稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):28Ω
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.111435
8100
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):9Ω
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1272
8770
稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):4Ω
SMC(桑德斯)
SOD-323
¥0.1115
31
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.92V~9.28V
PANJIT(强茂)
DO-41G
¥0.1743
5260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
12225
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):5uA@15V,稳压值(范围):19V~21.2V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.113
9620
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 22.5 V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1234
3530
稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):350Ω
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.1601
6997
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.115
10454
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.130086
72068
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:150 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 6.2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
VISHAY(威世)
SC-76
¥0.11644
8040
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1166
5070
稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):5uA@22.8V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):40Ω
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.124
21732
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):25.62 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:70 nA @ 23.7 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1177
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):100nA@25.2V,稳压值(范围):34V~38V