LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.0639
1540
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
ST(先科)
SOD-123
¥0.064
280
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA@17V,稳压值(范围):20.9V~23.1V
ROHM(罗姆)
SOD-323F
¥0.0685
100514
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 5 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
MSKSEMI(美森科)
SOD-523
¥0.0639
3020
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.058735
460
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.06745
680
稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):1.9V~2.1V,耗散功率(Pd):350mW
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0686
553575
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):4.47V~4.94V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0653
25206
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.044916
7920
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0716
324586
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):47V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):44V~50V
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.06035
240
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):19.6V~20.4V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.065
43384
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800 nA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 10 mA
晶导微电子
SOD-123W
¥0.0363
20350
稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):2.94V~3.06V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123W
¥0.0682
2050
稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@23V,稳压值(范围):29.4V~30.6V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123W
¥0.0682
650
稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.82V~3.98V,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.06715
139260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA@17V,稳压值(范围):20.9V~23.1V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.05359
14978
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43 V,容差:±7%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 32 V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.10716
2160
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323
¥0.1025
20
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):500nA@5.0V,稳压值(范围):7.11V~7.86V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0978
11760
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5.83%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 16.8 V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.1106
2940
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±6.06%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 23.1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1146
1300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):14.7V~15.3V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06978
8898
MSKSEMI(美森科)
SOD-882
¥0.063155
8300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA@3V,稳压值(范围):5.89V~6.51V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07062
740
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):8.27V~9.14V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.085
19590
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0619
18448
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±7.04%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 18.9 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0708
0
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):4.5uA@1.0V,稳压值(范围):3.218V~3.383V,耗散功率(Pd):300mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.1072
7660
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2.7uA@2V,稳压值(范围):4.61V~4.79V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0715
7520
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):50nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0715
20820
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):41 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.09251
14831
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 nA @ 30.1 V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0719
100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA@18.9V,稳压值(范围):25.1V~28.9V
PANJIT(强茂)
MiniMELF(LL-34)
¥0.072
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):5.49V~5.71V
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.0723
1070
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.8V
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.0729
297234
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 4 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.076
19540
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.05943
15410
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 18.2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.078755
5860
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.078755
1620
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.23V~3.37V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0739
13511
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 27 V
ST(先科)
DO-35
¥0.0786
300
稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.09V~4.51V,耗散功率(Pd):500mW
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.077
24890
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥0.0766
33421
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.07461
1940
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7.5V,稳压值(范围):9.8V~10.2V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.1086
3784
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.07714
1140
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):29.4V~30.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0775
550
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):23.72V~24.78V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0778
300
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±6.1%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.05635
13978
稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):50uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):9Ω