Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.0783
16754
稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):5uA@15.2V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):22Ω
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0784
338697
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0787
6002
稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):9.5V~10.5V,耗散功率(Pd):200mW
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.07291
23250
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):29 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 17 V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.0989
2320
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA@5V,稳压值(范围):7.35V~7.65V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.07644
197147
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0848
174481
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):37 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0794
27832
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±6.42%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.080163
220
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
晶导微电子
SMA
¥0.0792
45407
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):62V,反向电流(Ir):1uA@47V,稳压值(范围):58.9V~65.6V
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0804
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0836
55526
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):4.47V~4.94V
Nexperia(安世)
SOD27(DO-35)
¥0.081111
18650
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
JSMSEMI(杰盛微)
MiniMELF
¥0.0888
1400
稳压值(标称值):75V,反向电流(Ir):100nA@56V,稳压值(范围):71.25V~78.75V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.06781
55669
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.08523
1840
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):95V~105V
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AC(SMA)
¥0.08307
4400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@10V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.1123
860
二极管配置:1对共阳极,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323
¥0.1277
220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0816
13260
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):240 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 47.6 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.107
5020
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):44 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.071
2760
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.0804
7740
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):47V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):44.9V~49.8V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.10191
64153
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.8V
ST(先科)
DO-41
¥0.0869
5459
稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@4V,稳压值(范围):6.46V~7.14V,耗散功率(Pd):1W
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0984
8580
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.07769
117105
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
SMAF
¥0.09557
2700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):13.8V~15.8V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.06456
61270
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.086
83385
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323
¥0.0893
7180
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):65 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 13 V
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AC(SMA)
¥0.0497
500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.12
124685
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.11809
10127
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):7.5uA@2V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.098705
2940
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.46V~7.18V
KEC(开益禧)
USC(SOD-323)
¥0.0674
0
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):4V~4.5V,耗散功率(Pd):200mW
SMC(桑德斯)
SOT-23
¥0.0923
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
Prisemi(芯导)
SOD-123
¥0.0914
2100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):500mW
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.09672
7158
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 13 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0933
6120
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):100nA@2V,稳压值(范围):5.89V~6.51V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.09333
5960
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):5uA@30V,稳压值(范围):37.2V~41.5V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0878
235203
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0942
103155
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0942
61701
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.095
4820
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.095
9000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
FOSAN(富信)
SMA(DO-214AC)
¥0.104595
3740
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.8V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1166
7120
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):56V,反向电流(Ir):100nA@43V,稳压值(范围):53.2V~58.8V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.1139
3080
二极管配置:1对共阴极,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@10V,稳压值(范围):12.35V~13.65V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.09582
18650
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V