DIODES(美台)
SOD-123
¥0.08
14989
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9.1 V
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0592
2050
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.89V~4.16V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.076648
15211
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 17 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06687
8594
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0737
25340
稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V,耗散功率(Pd):1W
ST(先科)
DO-41
¥0.08364
18325
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@4V,稳压值(范围):6.46V~7.14V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0805
28519
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0853
5060
稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):100nA@6.1V,稳压值(范围):8.04V~8.36V,耗散功率(Pd):500mW
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.08237
16829
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0983
6560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):19 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.0869
19940
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2.18%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 3 V
ST(先科)
DO-41
¥0.0869
5426
稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA@5V,稳压值(范围):7.13V~7.88V,耗散功率(Pd):1W
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0933
224104
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±3%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):300 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 27 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.076
10300
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.088
9754
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±1.94%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 4 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.08954
59914
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.0912
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):64.6V~71.7V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.0911
6623
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.1%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.09329
1935
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.09378
2000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0895
3180
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):3.71V~4.1V
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.095
4380
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±2.06%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
FOSAN(富信)
SMA
¥0.104595
2020
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):5uA@30V,稳压值(范围):37.2V~41.5V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.098
41272
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
ST(先科)
DO-41
¥0.0995
13132
稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):150uA@1V,稳压值(范围):2.85V~3.15V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.1
640
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):180 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 35.7 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.09776
366493
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1001
32909
稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):15.2V~16.8V,耗散功率(Pd):1W
晶导微电子
SOD-123
¥0.0737
15000
稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):5uA@25V,稳压值(范围):31.3V~34.9V,耗散功率(Pd):1W
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.101365
480
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.085
25154
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.09693
2600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):16.8V~19.2V
KEC(开益禧)
USC(SOD-323)
¥0.083
7080
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):500nA@6.0V,稳压值(范围):7V~7.9V,耗散功率(Pd):200mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.1089
9060
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):45nA@16.8V,稳压值(范围):23.52V~24.48V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.1059
1400
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±2.5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:45 µA @ 1 V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
34250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):1uA@38V,稳压值(范围):48.6V~54V
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.11024
9469
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 13 V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.1084
880
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):28V~32V
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.1095
7560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±2%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11.2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.1235
1580
稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.92V~9.28V,耗散功率(Pd):150mW
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.11
9260
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.101
24458
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.125
20044
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2.2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.1036
10020
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):150V,反向电流(Ir):1uA@114V,稳压值(范围):140V~157V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1351
4990
稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):5Ω
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.112765
5020
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.115
23993
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 4 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.1157
50
稳压值(标称值):2.2V,反向电流(Ir):120uA@0.7V,稳压值(范围):2.16V~2.24V,耗散功率(Pd):500mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1124
4100
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):5V~5.2V,耗散功率(Pd):500mW
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.132
30345
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA@18.2V,耗散功率(Pd):2W