RENESAS(瑞萨)
SOIC-8
¥4.18
0
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
TI(德州仪器)
QFN-48-EP(7x7)
¥144.909
3
功能:电池平衡器,电池化学成份:锂离子,电池数:1 ~ 7,接口:SPI,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
Digi-Key 停止提供
TI(德州仪器)
SOIC-16
¥8.0933
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:4,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.75V ~ 28V
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥14.238
2
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
停产
Infineon(英飞凌)
SOIC-28-300mil
¥37.0538
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
最后售卖
Infineon(英飞凌)
PLCC-32(16.6x16.6)
¥28.9198
56
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
TDFN-8-EP(3x3)
¥7.55
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
EG(屹晶微)
SOP-8
¥0.5876
0
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,工作电压:11V~30V,上升时间(tr):400ns
Infineon(英飞凌)
SMD,6x5mm
¥6.9
100020
工作电压:4.25V~16V,特性:欠压保护(UVP);过流保护(OCP)
ST(意法半导体)
PowerSSO-36
¥25.84
10
驱动配置:全桥,负载类型:MOSFET,工作电压:6V~28V,上升时间(tr):45ns
TI(德州仪器)
6-WDFN 裸露焊盘
¥7.3333
6
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 12.6V
TI(德州仪器)
HSSOP-36-11.0mm
¥51.2568
0
输出配置:半桥(4),应用:DC 电机,步进电机,接口:PWM,负载类型:电感,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥16.392
20
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
不适用于新设计
TI(德州仪器)
WSON-10-EP(4x4)
¥23.6806
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
ROHM(罗姆)
SSOP-5
¥7.3593
82
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
WSON-10-EP(4x4)
¥32.45
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:7V ~ 17V
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥9.396
1058
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥10.535
110
驱动配置:低端,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
onsemi(安森美)
SOIC-14
¥8.265
978
输出配置:半桥(3),应用:DC 电机,通用,接口:SPI,负载类型:电感,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥3.6456
1000
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 32V
停产
onsemi(安森美)
QFN-32-EP(5x5)
¥13.87
160
电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 低端(2),接口:SPI,并联,技术:NMOS
Infineon(英飞凌)
SOIC-14
¥10.976
70
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥5.5836
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥40.936
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
TI(德州仪器)
PDIP-8
¥9.5424
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥10.4384
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 17V
TI(德州仪器)
SO-8
¥15.6576
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 17V
TI(德州仪器)
PDIP-16
¥74.47
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5V ~ 40V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥2.65
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
WSON-10-EP(4x4)
¥13.39
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 14V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SOIC-28-300mil
¥38.75
1
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
PLCC-32(16.6x16.6)
¥56.354
21
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥16.6096
0
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 15V
TI(德州仪器)
HTSSOP-14-EP
¥18.8272
0
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 15V
TI(德州仪器)
HTSSOP-14-EP
¥16.0384
0
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 15V
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥10.472
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥9.6544
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥7.1008
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
VQFN-20-EP(5x5)
¥25.692
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:降压,输出配置:正,拓扑:降压,输出数:1
MICROCHIP(美国微芯)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥11.77
231
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥8.7136
2
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥31.9312
3
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.75V ~ 32V
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥9.408
5
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
ADI(亚德诺)
MSOP-10-EP
¥36.1248
23
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:3.5V ~ 15V
ADI(亚德诺)
SO-8
¥29.853
40
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
Infineon(英飞凌)
PLCC-32(16.6x16.6)
¥67.3564
1
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
RENESAS(瑞萨)
DFN-10-EP(3x3)
¥1.4896
460
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
DIP-14
¥5.4
-1
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥24.26
18
驱动配置:低端,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V,4.75V ~ 24V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SIP-13
¥27.1558
40
输出配置:半桥,应用:通用,接口:开/关,负载类型:电感,技术:功率 MOSFET