LM5113SD/NOPB
TI(德州仪器)
WSON-10-EP(4x4)
¥23.6806
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栅极驱动芯片
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
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LM5113SD/NOPB
TI(德州仪器)
WSON-10-EP(4x4)

1000+:¥23.606

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LM5113SD/NOPB
德州仪器(TI)
WSON-10-EP(4x4)

100+:¥35.7467

30+:¥42.896

10+:¥53.6201

1+:¥64.3441

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LM5113SD/NOPB
TI(德州仪器)
WSON-10

100+:¥54.34

30+:¥59.52

10+:¥65.7

1+:¥75.86

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19+/20+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
逻辑电压\xa0- VIL,VIH 1.76V,1.89V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.2A,5A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 107 V
上升/下降时间(典型值) 7ns,1.5ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 10-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States
晶圆地(城市)(CSO) TI:South Portland, US
封装地(国家/地区)(ACO) TI:Malaysia
封装地(城市)(ASO) TI:Melaka, MY