TI(德州仪器)
VSSOP-10-0.5mm
¥2.96
348
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 14V
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
¥10.1871
2868
技术:磁耦合,通道数:1,电压 - 隔离:1200Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):200kV/µs,上升/下降时间(典型值):15ns,15ns
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SOIC-16-300mil
¥23.39
71
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:3.3V ~ 20V
TI(德州仪器)
HVSON-8-EP(3x3)
¥1.519
53607
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TOSHIBA(东芝)
VQFN-64-EP(9x9)
¥12.4
1472
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:并联,技术:功率 MOSFET
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥2.4
53616
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Fortior Tech(峰岹)
QFN-24(4x4)
¥4.35
2
集成FET:是,输出电流:2A,峰值电流:3A,工作电压:5V~18V
Digi-Key 停止提供
Infineon(英飞凌)
TFLGA-13
¥6
107
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:20V
Infineon(英飞凌)
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥14.2064
346
技术:磁耦合,通道数:1,电压 - 隔离:5700Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):300kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):84ns,92ns
ST(意法半导体)
PowerSO-20
¥24.86
5317
电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(3),接口:并联,技术:BiCDMOS
NCE(无锡新洁能)
SOIC-8
¥0.35
6630
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET,灌电流(IOL):1A,拉电流(IOH):1A
EG(屹晶微)
SOP-8
¥0.5148
19383
驱动配置:低边;高边,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):1.2A
COSINE(科山芯创)
SOP-8
¥1.08
14869
负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,工作电压:4.5V~25V,上升时间(tr):11ns
Fortior Tech(峰岹)
QFN-24(4x4)
¥2.6
4831
驱动类型:三相,输出电流:150mA,工作电压:6V~28V,静态电流(Iq):50uA
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
PDIP-8
¥2.704
12332
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 15.6V
TOSHIBA(东芝)
SOP-8
¥2.444
7702
集成FET:是,导通电阻:600mΩ,静态电流(Iq):1uA,工作温度:-40℃~+85℃
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥3.45
45008
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 15.6V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥3.6
9415
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 15.6V
onsemi(安森美)
QFN-15(4.4x4)
¥7.2963
717
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 17V,电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1A,2A
ADI(亚德诺)
QFN-36-EP(5x6)
¥14.22
2113
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:SPI,步进/方向,技术:功率 MOSFET
FM(富满)
SOP-16
¥0.4569
2390
集成FET:是,峰值电流:2.5A,工作电压:2.4V~7.2V,导通电阻:1.6Ω
TMI(拓尔微)
SOP-8
¥0.958
14886
输出电流:4A,峰值电流:8A,工作电压:3V~18V,静态电流(Iq):600uA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥1.6
5053
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:1,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥3.59
4809
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Mixic(中科芯亿达)
SOP-8
¥0.13728
11611
峰值电流:500mA,工作电压:4.5V~15V,静态电流(Iq):100nA,工作温度:-20℃~+85℃
EG(屹晶微)
SOP-8
¥0.86424
13232
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,灌电流(IOL):300mA,拉电流(IOH):200mA
TI(德州仪器)
SOT-563
¥1.3818
8123
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:PWM
TMI(拓尔微)
SOP-8
¥2.5
356
输出电流:4A,峰值电流:8A,工作电压:5V~30V,导通电阻:91mΩ
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥3.9425
909
驱动配置:高边;低边,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):4A
Infineon(英飞凌)
16-BSSOP(0.295",7.50mm 宽)
¥21.35
2084
技术:磁耦合,通道数:1,电压 - 隔离:5700Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):200V/ns,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):270ns,262ns
FM(富满)
ESOP-8
¥0.4664
7690
集成FET:是,输出电流:2.1A,峰值电流:3.5A,工作电压:2V~5V
杭州中科微
UDFN-8-EP(2x2)
¥0.4509
2935
集成FET:是,H桥数量:1,输出电流:800mA,峰值电流:1.5A
EG(屹晶微)
SOIC-8
¥0.5356
10560
负载类型:MOSFET,灌电流(IOL):600mA,拉电流(IOH):300mA,工作电压:10V~20V
TI(德州仪器)
TSSOP-16-EP
¥1.716
1092
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:PWM
Infineon(英飞凌)
SOIC-16-300mil
¥3.432
2782
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):8A
EG(屹晶微)
SOP-8
¥0.72696
9358
驱动通道数:2,灌电流(IOL):2.5A,拉电流(IOH):2A,工作电压:2.8V~20V
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥1.19
39932
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MSKSEMI(美森科)
ESOP-8
¥1.6435
5172
峰值电流:3.6A,导通电阻:260mΩ,工作温度:-40℃~+125℃
TI(德州仪器)
QFN-16-EP(4x4)
¥5.05
134
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:PWM
GATEMODE(捷茂微)
SOP-8
¥0.353
19270
通道数:2,工作电压:24V
Mixic(中科芯亿达)
SOP-16
¥0.50856
8051
集成FET:是,峰值电流:3A,工作电压:1.8V~5V,导通电阻:400mΩ
UNI-SEMI
SOP-8
¥0.424
8375
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):600mA
杭州中科微
SSOP-10-150mil
¥1.0139
7165
控制电压:2.7V~12V,输出电流:800mA,H桥数量:2,驱动类型:双极驱动
DIODES(美台)
TSOT-25
¥1.32
22733
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥2.07
30516
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:6V ~ 20V
TI(德州仪器)
HTSSOP-28
¥3.0789
15850
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:逻辑,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
SO-8
¥3.95303
7718
电机类型 - 步进:单极,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:PWM
RELMON(杭州瑞盟)
QFN-28-EP(5x5)
¥5.88
816
步长细分:256,接口类型:STEP/DIR,导通电阻:280mΩ,工作温度:-40℃~+125℃
TI(德州仪器)
HTSSOP-28-EP
¥5.5835
2473
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:步进/方向
ADI(亚德诺)
TSOT-23-6L
¥10.4663
396
类型:源极选择器开关,FET 类型:P 通道,比率 - 输入:输出:2:1,内部开关:无,延迟时间 - 开启:110 µs