咨询/建议
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 16V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（3），接口：并联，技术：DMOS
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：PWM，SPI
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：并联，技术：CMOS，DMOS
输出配置：半桥（3），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，SPI，负载类型：容性和阻性，技术：NMOS
停产
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM，技术：功率 MOSFET
停产
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：13V ~ 25V
电压 - 供电：4.9V ~ 37V，工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ），安装类型：表面贴装型，封装/外壳：40-VFQFN 裸露焊盘
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联
停产
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 13.5V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：-7V ~ -15V， 14V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：半桥（3），接口：SPI
停产
电压 - 供电：9.5V ~ 15V，工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ），安装类型：表面贴装型，封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
最后售卖
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：PWM，技术：功率 MOSFET
驱动类型：三相，输出电流：1.5A，峰值电流：2.5A，工作电压：13.5V~16.5V
电压 - 供电：4.25V ~ 16V，工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ），安装类型：表面贴装型，封装/外壳：39-PowerVFQFN
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 13.2V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：58ns，58ns
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：半桥（3），接口：硬件
停产
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：SPI，技术：DMOS
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：PWM
输出配置：半桥（10），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，SPI，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：MOSFET（金属氧化物）
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
停产
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
停产
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（6），接口：SPI，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（4），接口：SPI，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：SPI
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：0V ~ 18V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：并联，PWM，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - AC，DC：无刷直流（BLDC）伺服，有刷直流伺服，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：SPI，技术：功率 MOSFET
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，接口：I²C，技术：功率 MOSFET，应用：风扇电机驱动器
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：SPI，步进/方向，技术：NMOS