咨询/建议
输出配置：半桥（3），应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 30V
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（2），接口：PWM，SPI
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
最后售卖
驱动配置：高压侧和低压侧，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 20V
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：SPI
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：前置驱动器 - 半桥（4），接口：SPI，技术：NMOS
通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 17V，逻辑电压 - VIL，VIH：0.8V，2V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V，工作温度：-40°C ~ 125°C（TA），安装类型：表面贴装型，封装/外壳：39-PowerVFQFN
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：步进/方向
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 20V
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：步进/方向
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 6.5V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：7V ~ 34V
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电机类型 - 步进：双极性，功能：控制器 - 速度，输出配置：半桥（4），接口：SPI，步进/方向，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
最后售卖
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
输出配置：半桥，全桥，应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，负载类型：容性和阻性，技术：N 沟道 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 16V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
输出配置：半桥（2），应用：通用，接口：SPI，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器，输出配置：半桥（3），接口：PWM
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器，输出配置：前置驱动器 - 半桥，接口：逻辑，技术：DMOS
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
输出配置：半桥（12），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，SPI，负载类型：电感，电容性，电阻，导通电阻（典型值）：1.3 欧姆 LS，1.3 欧姆 HS
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑
电机类型 - AC，DC：压电，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：差分，接口：模拟，PWM，技术：功率 MOSFET
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：58ns，58ns
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 30V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：高端，接口：开/关，技术：PMOS
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：SiC MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 22V
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 17.5V
集成FET：是，输出电流：5A，工作电压：4V~40V，静态电流(Iq)：1uA
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（3），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：3 相，驱动器数：6，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.5V ~ 60V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：7V ~ 34V
技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：4500Vrms，上升/下降时间（典型值）：30ns，50ns，电流 - 输出高、低：2A，2A
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI，技术：NMOS
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 14V
控制电压：4.5V~5.5V，输出电流：1.5A，驱动类型：双极驱动，集成开关：是
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：串行，技术：CMOS