LMG1210RVRR
TI(德州仪器)
WQFN-19-EP(3x4)
¥13.5
3,265
栅极驱动芯片
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V,6V ~ 18V
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LMG1210RVRR
TI(德州仪器)
WQFN-19-EP(3x4)

1000+:¥14.5112

500+:¥14.9283

100+:¥15.8692

30+:¥18.47

10+:¥20.55

1+:¥24.05

2621

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WQFN-19

500+:¥54.2

100+:¥57.2

20+:¥62.6

1+:¥68.6

500

20+/21+
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3000+:¥13.5

1+:¥13.77

50

22+
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WQFN-19

3000+:¥14.04

1+:¥14.3208

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3+:¥17.501

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3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.75V ~ 5.25V,6V ~ 18V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.5A,3A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 200 V
上升/下降时间(典型值) 500ps,500ps
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳 19-WFQFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:United States
晶圆地(城市)(CSO) TI:Dallas, US
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Kuala Lumpur, MY;Melaka, MY;Angeles City, PH External:5