咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：10pF
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：9pF
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：8MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：直插晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：37.4MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：52MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
类型：陶瓷，频率：16 MHz，频率稳定性：±0.15%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：90 kOhms
频率：8MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：6pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：1MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：8MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：4.9152MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：9pF
晶振类型：直插晶振，频率：11.0592MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF