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类型：陶瓷，频率：4 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：20MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：9pF
频率：25MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：16MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：30MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：50MHz，工作电压：3.3V，工作电流：20mA，频率稳定度：±25ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：22pF
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±150ppm，频率容差：±50ppm，负载电容：8pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：9pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：7pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：20MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：100MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：32.768kHz，频率稳定度：±5ppm，工作电压：3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：27MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：90 kOhms
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF