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类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±10ppm，负载电容：7pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：7pF
类型：陶瓷，频率：16 MHz，频率稳定性：±0.3%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：33.333MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：直插晶振，频率：25MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：6pF
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±25ppm，频率容差：±15ppm，负载电容：8pF
频率：8MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：26MHz，频率稳定度：±1.5ppm，工作电压：1.7V~3.6V，工作电流：1.5mA
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
频率：25MHz，工作电压：3.3V，工作电流：25mA，频率稳定度：±50ppm
频率：30MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：50 kOhms
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：6pF，ESR（等效串联电阻）：55 kOhms
频率：25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：90 kOhms
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF
频率：25MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V