咨询/建议
频率：40MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：7.68MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：27MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：20MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
频率：25MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：24MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±50ppm
频率：16.368MHz，频率稳定度：±500ppb，工作电压：1.7V~3.6V，工作温度：-30℃~+85℃
频率：60MHz，工作电压：3.3V，工作电流：20mA，频率稳定度：±50ppm
频率：66MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：33.333MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±25ppm
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±10ppm，负载电容：7pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
基本谐振器：MEMS，类型：TCXO，频率：32.768 kHz，输出：LVCMOS，电压 - 供电：1.5V ~ 3.63V
频率：12MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：80MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：待机（断电），输出：LVCMOS
频率：100MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：155.52MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：125MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：200 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：125 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：125 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
频率：25MHz，频率稳定度：±1ppm，工作电压：3V，工作电流：6mA
晶振类型：直插晶振，频率：13.52127MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：40MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：16pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：14.31818MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
类型：陶瓷，频率：8 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
晶振类型：直插晶振，频率：22.1184MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF