咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：8.192MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：12.5pF
频率：5MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：24.576MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：30MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：30MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：1MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：38.4MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：40MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：24.576MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：10MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：4MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：33.33MHz，频率稳定度：±20ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：10pF
频率：48MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
停产
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：100 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
频率：148.5MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：2.5V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：13.56MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27.12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24.576MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF