咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：30 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：33.333MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：72MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：96MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：72MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：14.31818MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±30ppm
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：10pF
频率：24MHz，工作电压：5V，频率稳定度：±50ppm，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：48MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：14.31818MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V
频率：11.0592MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：27.12MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：13.56MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±25ppm
频率：40MHz，频率稳定度：±20ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：24MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：3.579545 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：36MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：10 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
频率：4.096MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±50ppm
频率：35MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃