咨询/建议
频率：27MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.2V
频率：32MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：25.00125MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：14.7456MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：4MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：4.9152MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：40.96MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：25.000625MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：28.63636MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：26MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：27MHz，工作电压：1.6V~3.6V，工作电流：3mA，频率稳定度：±100ppm
频率：12.288MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：62MHz，频率稳定度：±100ppm，工作电压：2.7V~3.6V，工作温度：-40℃~+85℃
晶振类型：贴片晶振，频率：18.432MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
频率：24.576MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：MHz 晶体，频率：12.288 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：4.9152MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：26MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：65.536MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：48MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：51.2MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：26MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V