咨询/建议
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：125MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
停产
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率容差：±30ppm，负载电容：6pF，ESR（等效串联电阻）：100 Ohms
频率：45.1584MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
频率：24.576MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：100 MHz，功能：待机（断电），输出：HCMOS，LVCMOS
频率：28.63636MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±15ppm，负载电容：8pF
频率：24MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：32.768kHz，频率稳定度：±5ppm，输出模式：LVCMOS，工作电压：1.5V~3.63V
频率：4.096MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：32MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：9pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：6pF，ESR（等效串联电阻）：50 kOhms
频率：49.152MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：1MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±100ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：25 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
频率：12.288MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：125MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：HCMOS；LVCMOS，工作电压：1.8V
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：50 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS
频率：120MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：2.5V
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：10pF
频率：108MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：2.5V
频率：10MHz，频率稳定度：±100ppm，工作电压：2.7V~3.6V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：20MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：10MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：12.288MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：27MHz，频率稳定度：±30ppm，输出模式：CMOS，绝对牵引范围：±50ppm
频率：1MHz，频率稳定度：±100ppm，工作电压：4.5V~5.5V，工作温度：-40℃~+85℃
停产
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±50ppm，负载电容：12pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：7pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：9pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms