咨询/建议
频率：66MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：14.31818MHz，工作电压：1.6V~3.6V，工作电流：3mA，频率稳定度：±100ppm
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：10pF
不适用于新设计
类型：陶瓷，频率：455 kHz，频率稳定性：±0.3%，频率容差：±2kHz，工作温度：-20°C ~ 80°C
频率：26MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：8.192MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：50 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：66.6 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：33.33 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
频率：65MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：12 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：33.33 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
频率：3.57MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：12MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：8.192 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
频率：32.768MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；LVTTL，工作电压：3.3V
频率：32.768MHz，频率稳定度：±50ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：3.3V
频率：148.5MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：133MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：48 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：9pF，ESR（等效串联电阻）：90 kOhms
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±150ppm，频率容差：±50ppm，负载电容：8pF
频率：40.96MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：22.5792MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：37.125MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：27 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：40MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：55.296MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：39.3216MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：27MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS；HCMOS，工作电压：1.8V
频率：3.6864MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：4.5V~5.5V
频率：12MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：49.152MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：48MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：72MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：32MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：6pF