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MJD44E3T4G
onsemi(安森美)
DPAK
达林顿管
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 20mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MJD44E3T4G
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On Semiconductor/Fairchild
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TO-252
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75+:￥3.473 45+:￥3.7288 15+:￥4.104 |
1002 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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MJD44E3T4G
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On Semiconductor/Fairchild
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TO-252
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14700+:￥4.5925 9800+:￥4.5925 4900+:￥4.5925 |
4900 |
21+
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5-10工作日
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云汉芯城
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MJD44E3T4G
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onsemi(安森美)
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DPAK
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7500+:￥1.5751 |
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立即发货
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立创商城
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MJD44E3T4G
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安森美(onsemi)
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DPAK
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30+:￥3.6933 10+:￥4.432 1+:￥6.6479 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 10 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 2V @ 20mA，10A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10µA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 5A，5V |
| 功率 - 最大值 | 1.75 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |