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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：22 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：22 千欧
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
不适用于新设计
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
不适用于新设计
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压 + 二极管，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，10V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，10V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：56 @ 5mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：400 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：820 @ 10mA，5V
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V