咨询/建议
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：1 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：100 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：1 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 mA，电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：100 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：1 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1mA，5V
不适用于新设计
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，10V
直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V，最小输入电压(VI(on))：1.3V@5mA,0.3V，最大输入电压(VI(off))：500mV@100uA,5V，输出电压(VO(on))：300mV@5mA,0.25mA
不适用于新设计
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：100 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：100 千欧
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧，10 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 20mA，5V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，10V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，10V