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不适用于新设计
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：30@10mA,5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：300mW，输入电阻：4.7kΩ
数量：1个PNP-预偏置，集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：1 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：1 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，5V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：1 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：22 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：22 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：22 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：22 千欧
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：47 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：2 PNP 预偏压（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4 千欧，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，10V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，1.5A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，60V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 千欧
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：900 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 250mA，1A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：5 @ 1A，2V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：1 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：1 千欧
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：PNP - 预偏压 + 二极管，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，1.5A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，60V，电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：10 千欧