DCX114EUQ-13R-F
DIODES(美台)
SOT-363
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数字晶体管
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):10 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 30 @ 5mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA(ICBO)
频率 - 跃迁 250MHz
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363