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APT13003NZTR-G1
DIODES(美台)
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数字晶体管
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：900 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 250mA，1A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：5 @ 1A，2V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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APT13003NZTR-G1
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DIODES(美台)
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TO92
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2000+:￥0.506 1+:￥0.549 |
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立即发货
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圣禾堂
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APT13003NZTR-G1
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美台(DIODES)
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TO-92
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20000+:￥0.5566 4000+:￥0.6009 2000+:￥0.6325 500+:￥0.8855 100+:￥1.265 20+:￥2.0588 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.5 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 900 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 250mA，1A |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 5 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大值 | 1 W |
| 频率 - 跃迁 | 4MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |