FZT753TA
DIODES(美台)
TO-261-4,TO-261AA
¥1.09
12,745
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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FZT753TA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.09

1+:¥1.18

1420

24+
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FZT753TA
Diodes(达尔)
SOT-223

1000+:¥1.199

50+:¥1.298

30+:¥1.683

1420

-
3天-15天
FZT753TA
美台(DIODES)
SOT-223

10000+:¥1.243

2000+:¥1.3419

1000+:¥1.4125

500+:¥1.9775

100+:¥2.825

10+:¥4.5977

8000

-
FZT753TA
DIODES(美台)
SOT-223

400+:¥1.4208

200+:¥1.5168

10+:¥1.728

1+:¥1.9488

300

-
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FZT753TA
DIODES(美台)
SOT-223

1000+:¥1.45

500+:¥1.48

100+:¥1.58

30+:¥1.71

10+:¥1.8

1+:¥2.03

1041

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 140MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA