咨询/建议
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 25mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：5A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：15W
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：120mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：700µA
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：20V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 3mA，30mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4.2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 200mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：65 @ 1mA，10V
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：90mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
不适用于新设计
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：18 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 30mA，300mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：12 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：285mV @ 450mA，4.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：315mV @ 300mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，150mV
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：250mW
晶体管类型：2 NPN（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：350 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 4mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：12 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：180mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.4V @ 1A，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）