咨询/建议
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 60mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：1W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：250mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：250mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：140 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.1V @ 750mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：250µA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：12 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 3A，12A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：15 @ 5A，5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：67 @ 1mA，10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 100mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：195mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：12 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：320mV @ 50mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：17.5 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 25mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：175mV @ 350mA，3.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：450mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：50mV @ 500µA，10mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
不适用于新设计
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：140 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：360mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA