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NSS12200LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：12 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：180mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NSS12200LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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15000+:￥0.6959 |
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立即发货
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立创商城
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NSS12200LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT23
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500+:￥0.986 100+:￥1.079 21+:￥1.879 1+:￥2.61 |
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11+/12+
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在芯间
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NSS12200LT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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3000+:￥2.8532 |
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油柑网
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NSS12200LT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23
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100+:￥3.9665 59+:￥4.2018 1+:￥4.4371 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 12 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 180mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 250 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 460 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |