咨询/建议
DXTN5860DFDB-7
DIODES(美台)
-
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：315mV @ 300mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
DXTN5860DFDB-7
|
Diodes(达尔)
|
3000+:￥0.814 1500+:￥0.8589 750+:￥0.9152 100+:￥1.0208 40+:￥1.276 |
3000 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
|
DXTN5860DFDB-7
|
美台(DIODES)
|
DFN-3(2x2)
|
30000+:￥1.0175 6000+:￥1.0985 3000+:￥1.1563 800+:￥1.6188 200+:￥2.3126 10+:￥3.5845 |
3000 |
-
|
油柑网
|
|
|
DXTN5860DFDB-7
|
DIODES(美台)
|
U-DFN2020-3
|
3000+:￥0.937 1+:￥0.988 |
3000 |
23+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
DXTN5860DFDB-7
|
DIODES(美台)
|
-
|
3000+:￥0.9117 129+:￥1.1165 |
0 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 315mV @ 300mA，6A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 280 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 690 mW |
| 频率 - 跃迁 | 115MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-UDFN 裸露焊盘 |