ZXTP2009ZQTA
DIODES(美台)
SOT-89
¥2.46646
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三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):185mV @ 550mA,5.5A,电流 - 集电极截止(最大值):20nA
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ZXTP2009ZQTA
DIODES(美台)
SOT-89

5000+:¥2.4665

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SOT-89

100+:¥3.708

30+:¥4.4496

10+:¥5.562

1+:¥6.6744

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 5.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 185mV @ 550mA,5.5A
电流 - 集电极截止(最大值) 20nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 900 mW
频率 - 跃迁 152MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA