咨询/建议
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA，电流 - 集电极截止（最大值）：250nA（ICBO）
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：7 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：200 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：5mA
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，频率 - 跃迁：8.5GHz，增益：8dB，功率 - 最大值：2W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：80mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：580mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 5A，25A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：35 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：310mV @ 20mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：550mV @ 1.25mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 30mA，300mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双）电流反射镜，应用：电流镜像，电压 - 额定：30V，额定电流（安培）：100mA，等级：汽车级
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5.7 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：12 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：245mV @ 285mA，5.7A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不适用于新设计
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：15V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4.8A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：510mV @ 250mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2.7A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：340mV @ 270mA，2.7A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
停产
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 25mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，PNP 互补，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：7 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：280mV @ 350mA，7A，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：1.5W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：10V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：7A，集射极击穿电压(Vceo)：200V，耗散功率(Pd)：60W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：625mW
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.1V @ 500mA，2.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 2.5mA，25mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）