咨询/建议
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：64Gb，存储器组织：8G x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：64M x 16
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存，存储容量：32Mb，存储器组织：2M x 16
不适用于新设计
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失性，易失性，存储器格式：FLASH，RAM，技术：闪存 - NAND，移动 LPDRAM，存储容量：4Gb（NAND），2Gb（LPDRAM），存储器组织：256M x 16（NAND），128M x 16（LPDRAM）
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
Digi-Key 停止提供
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
不适用于新设计
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
停产
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Gb，存储器组织：128M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：1Tb，存储器组织：128G x 8
存储容量：2Gbit，接口类型：SPI，时钟频率(fc)：133MHz，工作电压：2.7V~3.6V
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：8Gb，存储器组织：1G x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：2Gb，存储器组织：256M x 8
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：闪存 - NAND，存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储容量：8Gbit，工作电压：2.7V~3.6V，页写入时间(Tpp)：300us，块擦除时间(tBE)：3.5ms
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NAND（SLC），存储容量：4Gb，存储器组织：512M x 8
存储容量：4Gbit，时钟频率(fc)：40MHz，工作电压：3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
存储容量：64Gbit，工作电压：2.7V~3.6V，工作温度：-25℃~+85℃，接口类型：SD2.0